肖克利二极管是一个四层(P-N-P-N)半导体器件。就像Pn结二极管它以正向偏压传导，以反向偏压停止传导。主要区别于传统二极管和肖克利二极管，当正向电压超过击穿电压时，它开始导电。这是一个活性成分．它是以发明者的名字命名的威廉·布拉德福德肖克利。
肖克利是第一个发明的半导体器件，这是一个pnpn”二极管．（二极管和符号的类型)它等价于a晶闸管没有门。由于有许多替代器件如Diac、可控硅、可控硅等，肖克利二极管的应用并不广泛。这些器件的工作原理是肖克利二极管。
它是一个两个终端设备，因此它被称为二极管．它被用作开关，它也有两种工作状态在或掉了。因为它的结构，它也被称为PNPN二极管。这是一个两个终端设备，因此它被称为二极管。
肖克利二极管的构造
它是由四层半导体材料夹在中间形成的。NPNP或PNPN反之亦然。由于四层的扩散形成了三个结。内部结构和符号如图所示。
肖克利二极管的构造也可以由双晶体管类比．
四层二极管的两晶体管等效电路如图所示。的pnpn二极管被分成两个部分，这是分开的机械但连接电．结果表明，四层二极管可以看作是两个背靠背连接的晶体管。晶体管第一季度是一个PNP型晶体管和一个晶体管第二季是一个NPN型晶体管。的收集器一个晶体管的连接基地反之亦然。
结J1是发射极基结J2基极-集热器或收集器基地结j3是基地发射器结。结J2对两个晶体管都是共用的。
在正向偏置模式下，结J1和J3为向前有偏见的结J2是反向偏置．肖克利二极管工作在仅正向偏置模式．在反向偏置模式下，结J1和J3为反向偏置，结J2为向前有偏见的。在反向如果反向电压高于击穿电压，则产生偏置二极管损坏。
肖克利二极管工作原理:
一个)。正向偏置操作:
由于有四个交替层，所以有三个路口在二极管中。当外部电压施加到阳极时积极的关于阴极， J1和J3为正向偏压结J2是反向偏置．
外部施加的电压几乎完全穿过反向偏压结J2．非常小的电流(泄漏电流)将流过二极管。
当我们增加外部电压时，二极管电流缓慢增加。这将持续到一个叫做"放电电压或"火花电压”Vbo．当电流增加到一个特定的值时，二极管切换到在状态。这个current值被称为保持电流在肖克利二极管。
一旦施加的电压等于导通电压，二极管电流急剧增加，整个器件的电压急剧下降。
这是由于结J2击穿在击穿电压。
因此在断点p-n-p-n二极管从OFF状态切换到ON状态。这体现在VI特性中。
b。)反偏时操作:
当反向偏置时，p-n-p-n二极管就像一个典型的p-n结二极管。J1和J3交界处是反向偏置结J2是正向偏压．流过器件的电流非常小泄漏电流。
如果反向电压达到反向击穿电压，则设备击穿，并有大电流流过它，二极管得到损坏的．
二极管提供的电阻:
四层二极管基本上起着开关的作用。因此它有两个稳态。在反向偏置中，它就像一个打开的开关，并提供非常高的电阻，通常为100 MΩ。当正向偏置时，它相当于一个闭合开关，并提供一个小于10Ω的电阻。
肖克利二极管的V-I特性
相反的特点:
当电压反向施加时，结J1和J3是反向偏置的。在高反向电压下，击穿将发生在这些结点上。这个电压称为反向雪崩电压VgA。当反向电压小于Ve时。一个小泄漏电流通过设备，由于热生成minonty嘉联易．
因此，这种反向电流与温度有关。反向特性的形状与p-n结二极管的形状相同。
特点:
正向特征可分为两类:
1.截止区域或向前阻塞区域。
2.负阻力区。
3.饱和区域。
当四层二极管正向偏置时，有一个小的正向电流流过，直到电压达到导通电压Vbo，对应的电流为Ibo。
一旦正向电压达到Vbo，设备电流突然增加，设备两端的电压下降到一个低值。
因此，器件在很短的时间内进入负电阻区域。它会迅速切换到饱和区域或开启状态。ON状态为a低电压、大电流、低电阻地区。在这种状态下，设备上的电压非常低。
一旦二极管进入ON状态或饱和区域，它就被“锁存”。
即使正向电压降低，只要正向电流小于“保持电流”Ig，二极管仍保持ON状态。Ig是保持二极管在ON状态所需的最小电流。
如何关闭?
通过在导电器件上施加反向电压(阳极对阴极)或将正向电流降低到保持电流值以下，可以关闭导电肖克利二极管。
肖克利二极管的优点:
1)。简单的建筑。
2)。锁定到on状态
3)。低正向压降，低功耗。
4)。能够阻断反向电压。
5)。借助于保险丝，可以防止过流。
肖克利二极管的缺点:
1.只向一个方向传导。
2)。由于速率效应会意外开机。
3)。不容易关掉。
不能快速切换。
正向击穿电压无法控制。
4)。它没有任何控制终端。
肖克利二极管的应用:
作为触发开关:
肖克利二极管最常见的应用是触发开关，用于打开可控硅。
当我们打开电路，RC网络被馈送到直流电源和电容器开始充电。电容器C开始向Vdc Via R充电。
当二极管Vc = Vbo时，导通，向可控硅提供栅极电流脉冲，导通可控硅。一旦可控硅被打开，它仍然处于锁存状态，因此肖克利二极管仅用于打开可控硅。
弛豫振荡器:
使用肖克利二极管的弛豫振荡器电路。在这种情况下，二极管与电源电池并联连接到电容电源。
当施加电压时，电容器启动充电通过一个电阻R.当电容上的电压超过肖克利二极管的过断电压时，它就会短路，并作为开关打开。
这会导致快速放电电容通过二极管。由于通过二极管的电流小于持有电流，二极管关闭，电容器启动充电一次。
电容上的电压变化如图所示，电容上的电压总是大于零。
如果有任何疑问，请随时询问我们…
还要看这个肖克利二极管的PPT
