MOSFET的缩放的意思,缩小尺度，嘿!朋友们让我们先了解一下缩放背后的基本理念是什么场效应晶体管．伸缩是提高系统性能的最佳方法之一金属氧化物半导体场效应晶体管。在缩放中，我们降低了一些关键参数MOSFET,以获得所需的操作特性。在这篇博客中，我们将进一步研究缩放的正确定义，以及可以进行mos晶体管缩放的缩放因子。缩放因子，如栅极长度，电压和通道宽度。MOS晶体管的尺度如何影响漏极电流。我们还将详细讨论不同类型的缩放。
通过使用这种缩放方法，像英特尔或AMD这样的半导体公司可以在同样大小的硅片上添加更多的晶体管。这就是为什么CPU的性能、速度和核心数量每年都在增长。
MOSFET缩放的定义-：
扩展的金属氧化物半导体晶体管指根据给定的准则降低器件的关键参数，以提高某些性能特征，如速度，应用，功耗等等，同时保持基本的操作特性不变。
MOSFET的缩放优势:
- 包装密度:器件的封装密度随着尺寸的提高而提高，因此我们可以在相同的空间中放入更多的晶体管。
- 大小芯片:由于我们可以在相同的空间中装入更多的晶体管，因此我们可以减少芯片的整体面积
- 芯片多功能:随着晶体管尺寸的减小，我们可以通过减小芯片的面积来制造多功能芯片。
mosfet的结垢类型-:
缩放可以分为三类，具体内容如下。
- 常数场缩放或全缩放。
- 恒压缩放。
- 横向扩展。
恒定场缩放或全缩放-:
在这种情况下，MOSFET的所有参数都被缩放以更好地理解它，我们将考虑一个情况，假设缩放因子是“S”，其值大于1 (S>1)现在考虑MOSFET的所有参数都被缩放因子“S”，那么它的所有参数将被改变为一个新的值。
例如，如果原始栅极长度为“L”，那么缩放后它将变成L ' = L/S
以类似的方式，MOSFET的所有参数将被更改为新值，因此这种类型的缩放被称为全缩放。
恒压缩放-:
在此，只有物理参数的作用场效应晶体管是按比例缩小，如栅长度的MOSFET减少，这导致在一个短通道效应这将直接影响漏极电流，因此漏极电流与栅极长度成反比。电气参数保持恒定，如MOSFET的终端电压保持恒定。
横向扩展,:
在这种类型的缩放中，只有栅极通道的宽度被缩放。通常被称为a门萎缩。这种类型的伸缩仅用于特定的应用程序。这种类型的缺点是通过通道的高电场，因此它也会引起短通道效应。
MOSFET的缩放。
